삼성전자가 20일 10나노 2세대(1y 나노) 8Gb DDR4 D램의 양산을 지난달부터 시작했다고 밝혔다. /사진제공=삼성전자

삼성전자가 공정 난제를 극복하고 10나노 2세대(1y 나노) D램 양산을 지난달 시작했다고 20일 밝혔다.

삼성전자의 10나노급 8Gb(기가비트) DDR4 D램은 2016년 2월 10나노 1세대(1x 나노) D램 양산에 들어간지 21개월 만에 등장한 신제품이다.

특히 차세대 극자외선 노광장비를 사용하지 않고도 1x 나노 D램 보다 생산량을 30% 높여 폭발하는 D램 수요에도 물량을 적기에 공급할 수 있을 것으로 기대된다.

이번 1y 나노 D램은 2012년 양산에 들어간 20 나노(2y 나노) 4Gb DDR3 제품 보다 용량, 속도, 전력효율을 2배 이상 향상했다. 이에 따라 앞으로 일부 제품을 제외하고 대부분의 사용처에서 1y 나노 D램 양산체제에 들어갈 전망이다.

1y 나노 D램에는 ▲초고속·초절전·초소형 회로 ▲초고감도 셀데이터 센싱 설계 ▲2세대 에어갭 공정 등 3가지 첨단 혁신 공정이 적용됐다.

삼성전자는 이를 바탕으로 서버용 DDR5, 모바일용 LPDDR5, 슈퍼컴퓨터용 HBM3 및 초고속 그래픽용 GDDR6 등 차세대 프리미엄 D램 양산 기반을 확보, 업계 선두를 유지할 수 있을 전망이다.

진교영 삼성전자 메모리사업부 사장은 “발상을 전환한 혁신적 기술 개발로 반도체의 미세화 기술의 한계를 돌파했다”며 “앞으로 1y 나노 D램의 생산 확대를 통해 프리미엄 D램 시장을 10나노급으로 전면 전화할 것”이라고 강조했다.