이재용, 평택 파운드리 구축으로 비메모리 승부수… “투자 멈추면 안돼”

 
 
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이재용 삼성전자 부회장이 지난 18일 중국 산시성에 위치한 삼성전자 시안반도체 사업장을 찾아 현장을 점검하는 모습. / 사진=삼성전자
이재용 삼성전자 부회장이 평택 캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축하며 비메모리 글로벌 1위를 목표로 하는 ‘반도체 비전 2030’에 추동력을 싣는다.

삼성전자는 극자외선(EUV) 기반 최첨단 제품 수요 증가에 대응하기 위해 경기도 평택캠퍼스에 파운드리 생산 시설을 구축한다고 21일 밝혔다.

정확한 투자 규모는 밝히지 않았으나 업계에서는 이번 파운드리 시설 구축에 9~10조원 가량의 금액이 투입될 것으로 전망한다.

이번 투자는 비메모리 반도체 1위를 위해 파운드리를 집중 육성하려는 이 부회장의 의지가 반영된 것으로 알려졌다.

이 부회장은 이번 투자를 직접 재가하며 반도체부문 경영진에 “어려울 때일수록 미래를 위한 투자를 멈춰서는 안된다”고 당부했다는 후문이다.

삼성전자 관계자는 “이번 투자는 지난해 4월 발표한 ‘반도체 비전 2030’ 관련 후속 조치의 일환”이라며 “삼성전자는 시스템 반도체 분야에서 글로벌 1위를 달성하기 위한 세부 전략을 실행하고 있다”고 설명했다.

삼성전자는 메모리 반도체 분야에서는 독보적인 글로벌 1위 자리를 지키고 있지만 비메모리 분야에서의 점유율은 아직 미미한 수준이다.

이와 관련 지난해 4월 2030년까지 133조원을 투자해 파운드리 세계 1위로 도약하겠다는 비전 2030을 발표한 뒤 지난해 화성 S3 라인에서 업계 최초로 EUV 기반 7나노 양산을 시작한 이후 올해 V1 라인을 통해 초미세 공정 생산 규모를 지속 확대해 왔다.

이번 평택 파운드리 라인 구축을 통해 모바일, HPC, AI 등 다양한 분야로 초미세 공정 기술 적용 범위를 확대한다는 계획이다.

공사는 이달 착수했으며 내년 하반기부터 본격 가동된다. 내년 평택 라인이 가동되면 7나노 이하 초미세 공정 기반 제품의 생산 규모는 더욱 가파르게 증가할 전망이다.

삼성전자는 프리미엄 모바일 칩을 필두로 하이엔드 모바일 및 신규 응용처로 첨단 EUV 공정 적용을 확대해 나간다는 전략이다.

정은승 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 사장은 "5나노 이하 공정 제품의 생산 규모를 확대해 EUV 기반 초미세 시장 수요 증가에 적극 대응해 나갈 것"이라며 "전략적 투자와 지속적인 인력 채용을 통해 파운드리 사업의 탄탄한 성장을 이어나갈 것"이라고 밝혔다.
 

이한듬 mumford@mt.co.kr  | twitter facebook

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