![]() |
¹ÝµµÃ¼ Àü¹®±â¾÷ KEC°¡ »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ¿¡¼ ½ÃÇàÇÏ´Â SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ±¹Ã¥°úÁ¦ ¿ä±¸ ¼º´ÉÀ» ÃæÁ·Çß´Ù´Â ¼Ò½Ä¿¡ ÀÌ È¸»çÀÇ ÁÖ°¡°¡ °¼¼´Ù.
4ÀÏ ¿ÀÀü 9½Ã19ºÐ KEC´Â Àü°Å·¡ÀÏ´ëºñ 375¿ø(12.42%) ¿À¸¥ 3395¿ø¿¡ °Å·¡µÇ°í ÀÖ´Ù.
À̳¯ KEC´Â »ê¾÷Åë»óÀÚ¿øºÎ¿¡¼ ½ÃÇàÇÏ´Â ¼ÒÀçºÎǰ»ê¾÷ ¹Ì·¡¼ºÀ嵿·ÂÀÎ 'Àü±âÀÚµ¿Â÷ ¹× ½ÅÀç»ý ¿¡³ÊÁö¿ë 1200V±Þ TrenchÇü SiC MOSFET ¼ÒÀÚ °³¹ß' ±¹Ã¥°úÁ¦ ¿ä±¸ ¼º´ÉÀ» ÃæÁ·Çß´Ù°í ¹àÇû´Ù.
KEC´Â º» »ç¾÷ÀÇ Ä¡¿ÇÑ °æÀï°ú ¾ö°ÝÇÑ 2´Ü°è ½É»ç¸¦ °ÅÃÄ ¿ì¼öÇÑ ¼ºÀûÀ¸·Î ±¹Ã¥°úÁ¦ ¿ä±¸ ¼º´É¿¡ ÃæÁ·Çß´Ù. 2017³â °³¹ßÀ» ½ÃÀÛÀ¸·Î ±Û·Î¹ú ¾÷ü Áß¿¡¼µµ 2°÷¸¸ ¾ç»êÇÒ ¼ö ÀÖÀ¸¸ç, ¼öÀÔ ÀÇÁ¸µµ 100%·Î ±¹»êȰ¡ ½Ã±ÞÇÑ Æ®·»Ä¡¹æ½Ä SiC Àü·Â¹ÝµµÃ¼ ¿¬±¸¸¦ ¸ÅÁøÇÑÁö 5³â ¸¸ÀÇ °á½ÇÀÌ´Ù.
´õºÒ¾î KEC´Â Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚÀÇ Á¦Á¶ ¹æ¹ý ¹× ±×¿¡ µû¸¥ Àü·Â ¹ÝµµÃ¼ ¼ÒÀÚ Æ¯Çã ÃëµæÀ» ÀÌ¹Ì ¿Ï·áÇÑ ¹Ù ÀÖÀ¸¸ç º»°Ç°ú °ü·ÃµÈ ƯÇã 1°ÇÀ» Ãâ¿øÇØ ½É»ç ÁßÀÌ´Ù.
KEC °ü°èÀÚ´Â "È®º¸µÈ ±â¼ú·ÂÀ¸·Î ÀÚµ¿Â÷ ¹× »ê¾÷ ½ÃÀå»Ó¸¸ ¾Æ´Ï¶ó, ÁøÀÔ À庮ÀÌ ³·Àº ¹Î»ý ½ÃÀåÀÇ °ø·«µµ ÃßÁøÇÒ °èȹ"À̶ó°í ¸»Çß´Ù.